基本信息:
- 专利标题： ｎ型擴散層形成組成物、ｎ型擴散層的製造方法以及太陽電池元件的製造方法
- 专利标题（英）：Composition for forming n-type diffusion layer, method for forming n-type diffusion layer, and method for producing photovoltaic cell
- 专利标题（中）：ｎ型扩散层形成组成物、ｎ型扩散层的制造方法以及太阳电池组件的制造方法
- 申请号：TW103101541 申请日：2012-07-05
- 公开(公告)号：TW201419384A 公开(公告)日：2014-05-16
- 发明人： 佐藤鐵也 , SATO, TETSUYA , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 町井洋一 , MACHII, YOICHI , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 木澤桂子 , KIZAWA, KEIKO , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO
- 申请人： 日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
- 专利权人： 日立化成工業股份有限公司,HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
- 当前专利权人： 日立化成工業股份有限公司,HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
- 代理人： 詹銘文; 葉璟宗
- 优先权： 2011-149249 20110705
- 主分类号： H01L21/22
- IPC分类号： H01L21/22 ; H01L31/042
摘要：
本發明提供一種n型擴散層形成組成物，其包括：含有施體元素且軟化溫度為500℃以上、900℃以下，平均粒徑為5 μm以下的玻璃粉末；以及分散媒。
摘要（中）：
本发明提供一种n型扩散层形成组成物，其包括：含有施体元素且软化温度为500℃以上、900℃以下，平均粒径为5 μm以下的玻璃粉末；以及分散媒。
摘要（英）：
The present invention provides a composition for forming an n-type diffusion layer, the composition including a glass powder containing a donor element and having an average particle diameter of 5 &mgr; m or less and a softening temperature of from 500 DEG C to 900 DEG C, and the composition also including a dispersion medium.
公开/授权文献:
- TWI570778B ｎ型擴散層形成組成物、ｎ型擴散層的製造方法以及太陽電池元件的製造方法 公开/授权日：2017-02-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/22 | ....杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂 |