基本信息:
- 专利标题： 使用電漿預處理與高溫蝕刻劑沉積的方向性二氧化矽蝕刻
- 专利标题（英）：Directional SiO2 etch using plasma pre-treatment and high-temperature etchant deposition
- 专利标题（中）：使用等离子预处理与高温蚀刻剂沉积的方向性二氧化硅蚀刻
- 申请号：TW102133544 申请日：2013-09-16
- 公开(公告)号：TW201417183A 公开(公告)日：2014-05-01
- 发明人： 柯傳偉 , OR, DAVID T. , 克林喬許華 , COLLINS, JOSHUA , 張鎂 , CHANG, MEI
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 61/709,107 20121002;61/874,783 20130906
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311
摘要：
本文描述用於處理基板的多種方法。該等方法可包括將具有包含氧化矽層之曝露表面的基板定位於處理腔室中，偏壓基板，處理基板使氧化矽層之一部分變粗糙，加熱基板至第一溫度，將基板之曝露表面曝露於氟化銨，以在保持第一溫度的同時形成一或更多揮發性產物，及加熱基板至高於第一溫度的第二溫度以昇華該等揮發性產物。
摘要（中）：
本文描述用于处理基板的多种方法。该等方法可包括将具有包含氧化硅层之曝露表面的基板定位于处理腔室中，偏压基板，处理基板使氧化硅层之一部分变粗糙，加热基板至第一温度，将基板之曝露表面曝露于氟化铵，以在保持第一温度的同时形成一或更多挥发性产物，及加热基板至高于第一温度的第二温度以升华该等挥发性产物。
摘要（英）：
Methods for processing a substrate are described herein. Methods can include positioning a substrate with an exposed surface comprising a silicon oxide layer in a processing chamber, biasing the substrate, treating the substrate to roughen a portion of the silicon oxide layer, heating the substrate to a first temperature, exposing the exposed surface of the substrate to ammonium fluoride to form one or more volatile products while maintaining the first temperature, and heating the substrate to a second temperature, which is higher than the first temperature, to sublimate the volatile products.
公开/授权文献:
- TWI604528B 使用電漿預處理與高溫蝕刻劑沉積的方向性二氧化矽蝕刻 公开/授权日：2017-11-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |
| --------------------H01L21/311 | .......绝缘层的刻蚀 |