基本信息:
- 专利标题： 整合多數元件的單石積體電路晶片
- 专利标题（英）：Monolithic integrated circuit chip integrating multiple devices
- 专利标题（中）：集成多数组件的单石集成电路芯片
- 申请号：TW102118432 申请日：2013-05-24
- 公开(公告)号：TW201405771A 公开(公告)日：2014-02-01
- 发明人： 桑德斯 傑佛瑞H , SAUNDERS, JEFFREY H.
- 申请人： 雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
- 专利权人： 雷神公司,RAYTHEON COMPANY
- 当前专利权人： 雷神公司,RAYTHEON COMPANY
- 代理人： 惲軼群; 陳文郎
- 优先权： 13/558,255 20120725
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L29/778
摘要：
一種含有多數個電晶體的罩片積體電路(IC)晶片，包含：一基材；一第一電晶體在該基團上；及一第二電晶體與該第一電晶體一體地形成於該基材上，該第二電晶體具有一與該第一電晶體不同的結構，其中該第一電晶體包含一第一材料系統且該第二電晶體包含一第二材料系統不同於該第一材料系統。該單片IC晶片可更包含一第三電晶體與該第一和第二電晶體一體地形成於該基材上。該第一電晶體可包含氮化鎵(GaN)，且該第二和第三電晶體可包含碳化矽(SiC)。
摘要（中）：
一种含有多数个晶体管的罩片集成电路(IC)芯片，包含：一基材；一第一晶体管在该基团上；及一第二晶体管与该第一晶体管一体地形成于该基材上，该第二晶体管具有一与该第一晶体管不同的结构，其中该第一晶体管包含一第一材料系统且该第二晶体管包含一第二材料系统不同于该第一材料系统。该单片IC芯片可更包含一第三晶体管与该第一和第二晶体管一体地形成于该基材上。该第一晶体管可包含氮化镓(GaN)，且该第二和第三晶体管可包含碳化硅(SiC)。
摘要（英）：
A monolithic integrated circuit (IC) chip containing a plurality of transistors, including: a substrate; a first transistor on the substrate; and a second transistor integrally formed on the substrate with the first transistor, the second transistor having a different structure than the first transistor, wherein the first transistor includes a first material system and the second transistor includes a second material system different from the first material system. The monolithic IC chip may further include a third transistor integrally formed on the substrate with the first and second transistors. The first transistor may include gallium nitride (GaN) and the second and third transistors may include silicon carbide (SiC).
公开/授权文献:
- TWI565031B 整合多數元件的單片積體電路晶片 公开/授权日：2017-01-01