基本信息:
- 专利标题： 用於半導體處理的微波偏移偵測
- 专利标题（英）：Microwave excursion detection for semiconductor processing
- 专利标题（中）：用于半导体处理的微波偏移侦测
- 申请号：TW102116556 申请日：2013-05-09
- 公开(公告)号：TW201401406A 公开(公告)日：2014-01-01
- 发明人： 漢翠森史考特A , HENDRICKSON, SCOTT A. , 克利芙麗娜莉莉亞 , KRIVULINA, LILIYA , 羅拉 艾法瑞茲璜卡羅斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 13/534,575 20120627
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/3105 ; C23C16/56
Devices and methods are provided for monitoring low-level microwave excursions from a UV curing system to determine if equipment is damaged, such as screen tears or improper assembly of UV lampheads. A radio frequency (RF) detector may be used to detect microwaves in a range of about 0.2 - 5 mW/cm
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |