基本信息:
- 专利标题： 具有金屬源極及汲極區的半導體裝置
- 专利标题（英）：Semiconductor device having metallic source and drain regions
- 专利标题（中）：具有金属源极及汲极区的半导体设备
- 申请号：TW101146400 申请日：2012-12-10
- 公开(公告)号：TW201342605A 公开(公告)日：2013-10-16
- 发明人： 吉爾斯 馬丁 , GILES, MARTIN D. , 柯柏拉尼 安娜麗莎 , CAPPELLANI, ANNALISA , 卡貝海 桑納茲 , KABEHIE, SANAZ , 羅伊斯 瑞菲爾 , RIOS, RAFAEL , 韋伯 科瑞 , WEBER, CORY E. , 布德里維奇 亞倫 , BUDREVICH, AARON
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US11/65931 20111219
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L23/52
Semiconductor devices having metallic source and drain regions are described. For example, a semiconductor device includes a gate electrode stack disposed above a semiconducting channel region of a substrate. Metallic source and drain regions are disposed above the substrate, on either side of the semiconducting channel region. Each of the metallic source and drain regions has a profile. A first semiconducting out-diffusion region is disposed in the substrate, between the semiconducting channel region and the metallic source region, and conformal with the profile of the metallic source region. A second semiconducting out-diffusion region is disposed in the substrate, between the semiconducting channel region and the metallic drain region, and conformal with the profile of the metallic drain region.
公开/授权文献:
- TWI523226B 具有金屬源極及汲極區的半導體裝置 公开/授权日：2016-02-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |