基本信息:
- 专利标题： 外延結構體的製備方法
- 专利标题（英）：Method for making epitaxial structure
- 专利标题（中）：外延结构体的制备方法
- 申请号：TW101113353 申请日：2012-04-13
- 公开(公告)号：TW201339084A 公开(公告)日：2013-10-01
- 发明人： 魏洋 , WEI, YANG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
- 申请人： 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
- 申请人地址： 新北市
- 专利权人： 鴻海精密工業股份有限公司,HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
- 当前专利权人： 鴻海精密工業股份有限公司,HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新北市
- 优先权： 201210085276.5 20120328
- 主分类号： B82B1/00
- IPC分类号： B82B1/00 ; B82Y40/00 ; H01L33/02
摘要：
本發明涉及一種外延結構體的製備方法，其包括以下步驟：提供一基底，所述基底具有一第一外延生長面；在所述第一外延生長面設置一奈米碳管層；在所述設置有奈米碳管層的第一外延生長面生長一第一外延層；去除所述基底及所述奈米碳管層，形成一外延襯底，所述外延襯底具有一圖案化的表面；及將所述外延襯底圖案化的表面作為第二外延生長面，在所述外延襯底的第二外延生長面生長一第二外延層，得到所述外延結構體。
摘要（中）：
本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述第一外延生长面设置一奈米碳管层；在所述设置有奈米碳管层的第一外延生长面生长一第一外延层；去除所述基底及所述奈米碳管层，形成一外延衬底，所述外延衬底具有一图案化的表面；及将所述外延衬底图案化的表面作为第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。
摘要（英）：
The present invention relates to a method for making epitaxial structure. The method includes following steps: providing a substrate with a epitaxial growth surface; disposing a carbon nanotube layer on the buffer layer; growing a first epitaxial layer on the substrate; removing the substrate and the carbon nanotube layer to exposed a surface of the first epitaxial layer; and growing a second epitaxial layer on the exposed surface of the first epitaxial layer.
公开/授权文献:
- TWI449659B 外延結構體的製備方法 公开/授权日：2014-08-21