基本信息:
- 专利标题： 具有改良式通道接合之串列太陽能電池
- 专利标题（英）：Tandem solar cell with improved tunnel junction
- 专利标题（中）：具有改良式信道接合之串行太阳能电池
- 申请号：TW101120900 申请日：2012-06-11
- 公开(公告)号：TW201308635A 公开(公告)日：2013-02-16
- 发明人： 阿布崗迪阿莫德 , ABOU-KANDIL, AHMED , 福吉爾基斯E , FOGEL, KEITH E. , 洪奧格斯汀J , HONG, AUGUSTIN J. , 金哲煥 , KIM, JEEHWAN , 沙達那戴芬卓K , SADANA, DEVENDRA K.
- 申请人： 萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 专利权人： 萬國商業機器公司,INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 当前专利权人： 萬國商業機器公司,INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 13/161,081 20110615
- 主分类号： H01L31/042
- IPC分类号： H01L31/042 ; H01L31/05
摘要：
光伏打裝置及用於製造光伏打裝置之方法包括以下步驟：於透射式基材上形成吸收光的半導體結構，該半導體結構包括第一摻雜層；及於第一摻雜層上形成本質層，其中本質層包括非晶材料。用電漿處理本質層以形成晶種位點。藉由自晶種位點生長微晶於本質層上形成第一通道接合層。
摘要（中）：
光伏打设备及用于制造光伏打设备之方法包括以下步骤：于透射式基材上形成吸收光的半导体结构，该半导体结构包括第一掺杂层；及于第一掺杂层上形成本质层，其中本质层包括非晶材料。用等离子处理本质层以形成晶种位点。借由自晶种位点生长微晶于本质层上形成第一信道接合层。
摘要（英）：
A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer and forming an intrinsic layer on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.