基本信息:
- 专利标题： 磁控濺鍍裝置、磁控濺鍍裝置之控制方法及成膜方法
- 专利标题（英）：Magnetron sputtering device, method for controlling magnetron sputtering device, and film forming method
- 专利标题（中）：磁控溅镀设备、磁控溅镀设备之控制方法及成膜方法
- 申请号：TW101104080 申请日：2012-02-08
- 公开(公告)号：TW201243085A 公开(公告)日：2012-11-01
- 发明人： 吉田德生
- 申请人： 夏普股份有限公司
- 申请人地址： SHARP KABUSHIKI KAISHA 日本 JP
- 专利权人： 夏普股份有限公司
- 当前专利权人： 夏普股份有限公司
- 当前专利权人地址： SHARP KABUSHIKI KAISHA 日本 JP
- 代理人： 陳長文; 林宗宏
- 优先权： 日本 2011-024876 20110208
- 主分类号： C23C
- IPC分类号： C23C
摘要：
本發明旨在提供一種磁控濺射裝置、磁控濺射裝置之控制方法以及膜形成方法。磁控濺射裝置中，交流電源與各組中的第一目標物和第二目標物相連接，磁控濺射裝置具備：對自與相鄰組中第一目標物和第二目標物相連接的交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制的控制部。
摘要（中）：
本发明旨在提供一种磁控溅射设备、磁控溅射设备之控制方法以及膜形成方法。磁控溅射设备中，交流电源与各组中的第一目标物和第二目标物相连接，磁控溅射设备具备：对自与相邻组中第一目标物和第二目标物相连接的交流电源分别输出的各电压之相位差加以控制的控制部。
摘要（英）：
In a magnetron sputtering device, an AC power supply is connected to each set of first and second targets, and a control unit is provided that controls the phase difference between the respective voltages output from the AC power supplies connected to the first and second targets in mutually adjacent sets.
公开/授权文献:
- TWI550118B 磁控濺鍍裝置、磁控濺鍍裝置之控制方法及成膜方法 公开/授权日：2016-09-21