基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置用合接線
- 专利标题（英）：Bonding wire for semiconductor devices
- 专利标题（中）：半导体设备用合接线
- 申请号：TW100127912 申请日：2008-12-03
- 公开(公告)号：TW201207971A 公开(公告)日：2012-02-16
- 发明人： 宇野智裕 , 木村圭一 , 山田隆
- 申请人： 新日鐵高新材料股份有限公司 , 日鐵微金屬股份有限公司
- 申请人地址： NIPPON STEEL MATERIALS CO., LTD. 日本 JP; NIPPON MICROMETAL CORPORATION 日本 JP
- 专利权人： 新日鐵高新材料股份有限公司,日鐵微金屬股份有限公司
- 当前专利权人： 新日鐵高新材料股份有限公司,日鐵微金屬股份有限公司
- 当前专利权人地址： NIPPON STEEL MATERIALS CO., LTD. 日本 JP; NIPPON MICROMETAL CORPORATION 日本 JP
- 代理人： 洪澄文
- 优先权： 日本 2007-312238 20071203 日本 2008-295178 20081119 世界智慧財產權組織 PCT/JP2008/071899 20081202
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明目的在於提供焊線表面性狀、迴路直線性、迴路高度安定性、及焊線接合形狀安定化均優越,亦能因應細線化、窄間距化、長跨距化、三維安裝等半導體安裝技術的高功能合接線。本發明的半導體裝置用合接線,其特徵在於具備有:由導電性金屬構成的芯材、以及在該芯材上設有以與芯材不同面心立方晶金屬為主成分的表皮層之半導體裝置用合接線;其中,上述表皮層表面的長邊方向結晶方位中, 所佔比例達50%以上。
摘要（中）：
本发明目的在于提供焊线表面性状、回路直线性、回路高度安定性、及焊线接合形状安定化均优越,亦能因应细线化、窄间距化、长跨距化、三维安装等半导体安装技术的高功能合接线。本发明的半导体设备用合接线,其特征在于具备有:由导电性金属构成的芯材、以及在该芯材上设有以与芯材不同面心立方晶金属为主成分的表皮层之半导体设备用合接线;其中,上述表皮层表面的长边方向结晶方位中,<100>所占比例达50%以上。
摘要（英）：
It is an object of the present invention to provide a highly-functional bonding wire which has good wire-surface nature, loop linearity, stability of loop heights, and stability of a wire bonding shape, and which can cope with semiconductor packaging technologies, such as thinning, achievement of a fine pitch, achievement of a long span, and three-dimensional packaging. A semiconductor-device bonding wire comprises a core member formed of an electrically-conductive metal, and a skin layer mainly composed of a face-centered cubic metal different from the core member and formed thereon. The percentage of<100> orientations in crystalline orientations in the lengthwise direction in the surface of the skin layer is greater than or equal to 50%.
公开/授权文献:
- TWI364806B 半導體裝置用合接線 公开/授权日：2012-05-21