发明专利
TW201203482A 半導體晶片及其製造方法 CONDUCTIVE PILLAR FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 半導體晶片及其製造方法 CONDUCTIVE PILLAR FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE
- 专利标题（英）：Conductive pillar for semiconductor substrate and method of manufacture
- 专利标题（中）：半导体芯片及其制造方法 CONDUCTIVE PILLAR FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE
- 申请号：TW099143643 申请日：2010-12-14
- 公开(公告)号：TW201203482A 公开(公告)日：2012-01-16
- 发明人： 黃見翎 , 黃英叡 , 林正怡 , 雷弋昜 , 林正忠 , 劉重希
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
- 申请人地址： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司
- 当前专利权人地址： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 美國 12/832,168 20100708
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明實施例係包含一導電凸塊位於一半導體晶片上。提供一基材，其上具有一連接墊，此連接墊上具有一凸塊下金屬層。銅柱具有一頂面及凹型側壁，此頂面具有一第一寬度。一鎳層，具有一頂面及一底面，位於此銅柱之頂面上。此鎳層之底面具有一第二寬度。第二寬度對第一寬度之比例為約0.93至1.07。一焊料位於該蓋層之該頂面上。
摘要（中）：
本发明实施例系包含一导电凸块位于一半导体芯片上。提供一基材，其上具有一连接垫，此连接垫上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，此顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位于此铜柱之顶面上。此镍层之底面具有一第二宽度。第二宽度对第一宽度之比例为约0.93至1.07。一焊料位于该盖层之该顶面上。
摘要（英）：
An embodiment of the disclosure includes a conductive bump on a semiconductor die. A substrate is provided. A bond pad is over the substrate. An under bump metallurgy (UBM) layer is over the bond pad. A copper pillar is over the UBM layer. The copper pillar has a top surface with a first width and sidewalls with a concave shape. A nickel layer having a top surface and a bottom surface is over the top surface of the copper pillar. The bottom surface of the nickel layer has a second width. A ratio of the second width to the first width is between about 0.93 to about 1.07. A solder material is over the top surface of the cap layer.
公开/授权文献:
- TWI460836B 半導體晶片及其製造方法 公开/授权日：2014-11-11