发明专利
TW201201293A 具壓力感測器之微機電結構及其製法 WAFER LEVEL PACKAGE WITH PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 具壓力感測器之微機電結構及其製法 WAFER LEVEL PACKAGE WITH PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
- 专利标题（英）：Wafer level package with pressure sensor and fabrication method thereof
- 专利标题（中）：具压力传感器之微机电结构及其制法 WAFER LEVEL PACKAGE WITH PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
- 申请号：TW099121403 申请日：2010-06-30
- 公开(公告)号：TW201201293A 公开(公告)日：2012-01-01
- 发明人： 張宏達 , 廖信一 , 黃君安 , 邱世冠 , 陳建安
- 申请人： 矽品精密工業股份有限公司
- 申请人地址： SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW
- 专利权人： 矽品精密工業股份有限公司
- 当前专利权人： 矽品精密工業股份有限公司
- 当前专利权人地址： SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW
- 代理人： 陳昭誠
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L ; B81C ; B81B
摘要：
一種具壓力感測器之微機電結構及其製法,係利用具有壓力感測元件之晶圓與一封蓋作晶圓接合,且該具有壓力感測元件之晶圓上形成有電性連接墊,經切割封蓋後得以進行打線及封裝製程,接著裸露銲線線頭以作為電性連接路徑。至於具有壓力感測元件之晶圓的底面,則形成有底面開口以構成壓力感測路徑,本發明之微機電結構及其製法整合晶圓接合與打線製程,即可得到一新穎的具壓力感測器之微機電結構,不僅各步驟之操作簡單,亦可得到輕薄短小之微機電結構。
摘要（中）：
一种具压力传感器之微机电结构及其制法,系利用具有压力传感组件之晶圆与一封盖作晶圆接合,且该具有压力传感组件之晶圆上形成有电性连接垫,经切割封盖后得以进行打线及封装制程,接着裸露焊线线头以作为电性连接路径。至于具有压力传感组件之晶圆的底面,则形成有底面开口以构成压力传感路径,本发明之微机电结构及其制法集成晶圆接合与打线制程,即可得到一新颖的具压力传感器之微机电结构,不仅各步骤之操作简单,亦可得到轻薄短小之微机电结构。
摘要（英）：
The invention provides a wafer level package with a pressure sensor and a fabrication method thereof, comprising coupling the wafer formed with the pressure sensor to a lid and forming electrical connecting pads on the wafer; and performing wire-bonding and packaging processes after cutting the wafer and exposing heads of solder wires to outside to serve as an electrical connecting path, wherein the bottom of the wafer is formed with an opening to form a path of the pressure sensor, thereby simplifying the manufacturing processes by integrating wafer bonding and wire bonding and thus reducing the size of the wafer level package.
公开/授权文献:
- TWI421955B 具壓力感測器之微機電結構及其製法 公开/授权日：2014-01-01