发明专利
TW201135976A 光電半導體晶片及ALGAN 系中間層之應用 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND USE OF AN ALGAN-BASED INTERLAYER
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 光電半導體晶片及ALGAN 系中間層之應用 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND USE OF AN ALGAN-BASED INTERLAYER
- 专利标题（英）：Optoelectronic semiconductor chip and use of an AlGaN-based interlayer
- 专利标题（中）：光电半导体芯片及ALGAN 系中间层之应用 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND USE OF AN ALGAN-BASED INTERLAYER
- 申请号：TW099146210 申请日：2010-12-28
- 公开(公告)号：TW201135976A 公开(公告)日：2011-10-16
- 发明人： 彼得 馬修斯 , 梅爾 托拜西 , 曼威瑟 尼可勞斯 , 高哲也 , 盧加爾 漢斯 侏根 , 瓦特 亞歷山大
- 申请人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司
- 申请人地址： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 德國 DE
- 专利权人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司
- 当前专利权人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司
- 当前专利权人地址： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 德國 DE
- 代理人： 何金塗; 丁國隆
- 优先权： 德國 10 2009 060 749.8 20091230
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
In at least one embodiment the optoelectronic semiconductor chip (100) includes a GaN-, InGaN-, AlGaN- and/or InAlGaN-based semiconductor multilayer (1). The semiconductor multilayer (1) contains a p-doped multilayer (2), an n-dooped multilayer (4), and an active zone (3), which lies between the p-dopoed (2) and the n-doped multilayer (4). Furthermore, the semiconductor multilayer (1) contains at least zumindest an AlxGa1-xN-based interlayer (5), wherein 0 < x≤ 1. The interlayer (5) lies on the same side of the active zone (3) as the n-doped multilayer (4) and has a specific chemical permeability with respect to liquids of low viscosity, which is lower than the specific chemical permeability of the regions of the semiconductor multilayer (1) bordering the interlayer (5).
公开/授权文献:
- TWI442600B 光電半導體晶片 公开/授权日：2014-06-21