发明专利
TW201123542A 半導體發光裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 半導體發光裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（英）：Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）：半导体发光设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- 申请号：TW099124727 申请日：2010-07-27
- 公开(公告)号：TW201123542A 公开(公告)日：2011-07-01
- 发明人： 平尾直樹 , 渡邊秋彥
- 申请人： 新力股份有限公司
- 申请人地址： SONY CORPORATION 日本 JP
- 专利权人： 新力股份有限公司
- 当前专利权人： 新力股份有限公司
- 当前专利权人地址： SONY CORPORATION 日本 JP
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 日本 2009-185798 20090810
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
半導體發光裝置包括：發光部；以及電極，其形成於該發光部上。該電極包括：光反射層，其被組配以反射從該發光部所發出的光，及包括第一金屬；第一晶種層，其直接形成於該光反射層上，及包括第二金屬；第二晶種層，其塗佈該光反射層和該第一晶種層的至少側表面，該第二晶種層包括第三金屬；以及電鍍層，其塗佈該第二晶種層的至少頂和側表面，該電鍍層包括第四金屬。
摘要（中）：
半导体发光设备包括：发光部；以及电极，其形成于该发光部上。该电极包括：光反射层，其被组配以反射从该发光部所发出的光，及包括第一金属；第一晶种层，其直接形成于该光反射层上，及包括第二金属；第二晶种层，其涂布该光反射层和该第一晶种层的至少侧表面，该第二晶种层包括第三金属；以及电镀层，其涂布该第二晶种层的至少顶和侧表面，该电镀层包括第四金属。
摘要（英）：
A semiconductor light emitting device includes a light emitting portion, and an electrode formed on the light emitting portion. The electrode includes: a light reflecting layer configured to reflect light emitted from the light emitting portion and including a first metal; a first seed layer formed directly on the light reflecting layer and including a second metal; a second seed layer coating at least side surfaces of the light reflecting layer and the first seed layer, the second seed layer including a third metal; and a plating layer coating at least top and side surfaces of the second seed layer, the plating layer including a fourth metal.