基本信息:
- 专利标题： 具有介電記憶體元件之記憶體單元 MEMORY CELL HAVING DIELECTRIC MEMORY ELEMENT
- 专利标题（英）：Memory cell having dielectric memory element
- 专利标题（中）：具有介电内存组件之内存单元 MEMORY CELL HAVING DIELECTRIC MEMORY ELEMENT
- 申请号：TW099100725 申请日：2010-01-12
- 公开(公告)号：TW201044564A 公开(公告)日：2010-12-16
- 发明人： 劉峻
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 美國 12/352,402 20090112
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
一些實施例包括具有一記憶體單元之裝置及方法,該記憶體單元包括一第一電極、一第二電極及位於該第一電極與該第二電極之間的一電介質。該電介質可經組態以允許該記憶體單元由該第一電極之一材料之一部分在該電介質中形成一導電路徑以表示儲存於該記憶體單元中之一第一資訊値。該電介質亦可經組態以允許該記憶體單元中斷該導電路徑以表示儲存於該記憶體單元中之一第二資訊値。
摘要（中）：
一些实施例包括具有一内存单元之设备及方法,该内存单元包括一第一电极、一第二电极及位于该第一电极与该第二电极之间的一电介质。该电介质可经组态以允许该内存单元由该第一电极之一材料之一部分在该电介质中形成一导电路径以表示存储于该内存单元中之一第一信息値。该电介质亦可经组态以允许该内存单元中断该导电路径以表示存储于该内存单元中之一第二信息値。
摘要（英）：
Some embodiments include apparatus and methods having a memory cell with a first electrode, a second electrode, and a dielectric located between the first and second electrodes. The dielectric may be configured to allow the memory cell to form a conductive path in the dielectric from a portion of a material of the first electrode to represent a first value of information stored in the memory cell. The dielectric may also be configured to allow the memory cell to break the conductive path to represent a second value of information stored in the memory cell.
公开/授权文献:
- TWI499037B 具有介電記憶體元件之記憶體單元及形成該記憶體單元與操作該記憶體單元之方法 公开/授权日：2015-09-01