发明专利
TW201019397A 電容器、電介質結構及形成電介質結構之方法 CAPACITORS, DIELECTRIC STRUCTURES, AND METHODS OF FORMING DIELECTRIC STRUCTURES
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 電容器、電介質結構及形成電介質結構之方法 CAPACITORS, DIELECTRIC STRUCTURES, AND METHODS OF FORMING DIELECTRIC STRUCTURES
- 专利标题（英）：Capacitors, dielectric structures, and methods of forming dielectric structures
- 专利标题（中）：电容器、电介质结构及形成电介质结构之方法 CAPACITORS, DIELECTRIC STRUCTURES, AND METHODS OF FORMING DIELECTRIC STRUCTURES
- 申请号：TW098132349 申请日：2009-09-24
- 公开(公告)号：TW201019397A 公开(公告)日：2010-05-16
- 发明人： 洛克來 諾爾 , 卡森 克里斯M , 彼得森 大衛 , 楊庫宇 , 維黛安那森 普雷文 , 巴特 維許瓦那斯
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 美國 12/251,733 20081015
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
Some embodiments include dielectric structures. The structures include first and second portions that are directly against one another. The first portion may contain a homogeneous mixture of a first phase and a second phase. The first phase may have a dielectric constant of greater than or equal to 25, and the second phase may have a dielectric constant of less than or equal to 20. The second portion may be entirely a single composition having a dielectric constant of greater than or equal to 25. Some embodiments include electrical components, such as capacitors and transistors, containing dielectric structures of the type described above. Some embodiments include methods of forming dielectric structures, and some embodiments include methods of forming electrical components.
公开/授权文献:
- TWI389207B 電容器、電介質結構及形成電介質結構之方法 公开/授权日：2013-03-11