基本信息:
- 专利标题： 去氟化製程 DE-FLUORIDATION PROCESS
- 专利标题（英）：De-fluoridation process
- 专利标题（中）：去氟化制程 DE-FLUORIDATION PROCESS
- 申请号：TW096137696 申请日：2007-10-08
- 公开(公告)号：TW200836260A 公开(公告)日：2008-09-01
- 发明人： 許東洪 HEO, DONGHO , 金智深 KIM, JISOO , 史 沙加地 SADJADI, S. M. REZA
- 申请人： 泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
- 申请人地址： 美國
- 专利权人： 泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人： 泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人地址： 美國
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 美國 11/545,903 20061010
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明在層中設置一特徵。在層上形成光致抗蝕層。將光致抗蝕層圖型化以形成具有光致抗蝕側壁的光致抗蝕特徵,其中光致抗蝕特徵具有第一臨界尺寸。將含氟保角層沈積在光致抗蝕特徵的側壁上以縮減光致抗蝕特徵的臨界尺寸。在適當之處留下剩餘的保角層同時,從保角層去除氟。將特徵蝕刻到層內,其中層特徵具有小於第一臨界尺寸的第二臨界尺寸。
摘要（中）：
本发明在层中设置一特征。在层上形成光致抗蚀层。将光致抗蚀层图型化以形成具有光致抗蚀侧壁的光致抗蚀特征,其中光致抗蚀特征具有第一临界尺寸。将含氟保角层沉积在光致抗蚀特征的侧壁上以缩减光致抗蚀特征的临界尺寸。在适当之处留下剩余的保角层同时,从保角层去除氟。将特征蚀刻到层内,其中层特征具有小于第一临界尺寸的第二临界尺寸。
摘要（英）：
A feature in a layer is provided. A photoresist layer is formed over the layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls, where the photoresist features have a first critical dimension. A fluorine-containing conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Fluorine is removed from the conformal layer, while the remaining conformal layer is left in place. Features are etched into the layer, wherein the layer features have a second critical dimension, which is less than the first critical dimension.
公开/授权文献:
- TWI420594B 去氟化製程 公开/授权日：2013-12-21