基本信息:
- 专利标题： 功率積體電路裝置及其製造方法 POWER IC DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
- 专利标题（英）：Power IC device and production method thereof
- 专利标题（中）：功率集成电路设备及其制造方法 POWER IC DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
- 申请号：TW096111657 申请日：2007-04-02
- 公开(公告)号：TW200810108A 公开(公告)日：2008-02-16
- 发明人： 亞登 艾伯特 ALBERTO, O ADAN , 菊田光洋 KIKUTA, MITSUHIRO
- 申请人： 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 日本 2006-105700 20060406
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
功率IC裝置,係表層通CMOS電晶體與溝渠功率MOS電晶體被形成於同一晶片。溝渠功率MOS電晶體之源極區域,被設於與表層通道CMOS電晶體之閘極電極相同之位準(level)。藉此,將溝渠功率MOS電晶體與表層通道CMOS電晶體形成於同一晶片的場合,可提供可以減低製造成本的功率IC裝置及其製造方法。
摘要（中）：
功率IC设备,系表层通CMOS晶体管与沟渠功率MOS晶体管被形成于同一芯片。沟渠功率MOS晶体管之源极区域,被设于与表层信道CMOS晶体管之闸极电极相同之位准(level)。借此,将沟渠功率MOS晶体管与表层信道CMOS晶体管形成于同一芯片的场合,可提供可以减低制造成本的功率IC设备及其制造方法。
摘要（英）：
In a power IC device, a surface layer channel CMOS transistor and a trench power MOS transistor are formed on the same chip. A source region (14) of the trench power MOS transistor is arranged at the same level as a gate electrode (21a) of the surface layer channel CMOS transistor. Thus, the power IC device and a method for manufacturing the power IC device are provided for reducing manufacturing cost in the case of forming the trench power MOS transistor and the surface channel CMOS transistor on the same chip.
公开/授权文献:
- TWI351760B 功率積體電路裝置及其製造方法 POWER IC DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF 公开/授权日：2011-11-01