发明专利
TW200627511A 於半導體晶圓製程處理室清潔期間降低電漿損害之方法 METHOD TO REDUCE PLASMA DAMAGE DURING CLEANING OF SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING CHAMBER
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 於半導體晶圓製程處理室清潔期間降低電漿損害之方法 METHOD TO REDUCE PLASMA DAMAGE DURING CLEANING OF SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING CHAMBER
- 专利标题（英）：Method to reduce plasma damage during cleaning of semiconductor wafer processing chamber
- 专利标题（中）：于半导体晶圆制程处理室清洁期间降低等离子损害之方法 METHOD TO REDUCE PLASMA DAMAGE DURING CLEANING OF SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING CHAMBER
- 申请号：TW094129357 申请日：2005-08-26
- 公开(公告)号：TW200627511A 公开(公告)日：2006-08-01
- 发明人： 諾瓦克湯瑪斯 NOWAK, THOMAS , 夏立群 XIA, LI-QUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 赫伯布萊恩 HOPPER, BRIAN , 托拉裘克尤瑞 TRACHUK, YURI , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 BALASUBRAMANIAN, GANESH , 瑞吉戴米恩 RAJ, DAEMIAN
- 申请人： 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
- 申请人地址： 美國
- 专利权人： 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人地址： 美國
- 代理人： 蔡坤財
- 优先权： 美國 60/605,067 20040827
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L ; B08B
摘要：
本發明係有關於用於清潔一半導體製造處理室之一種方法與設備。該方法至少包含導入一含異原子氟的氣體至一遠距電漿源、分解該含異原子氟的氣體、形成雙原子氟、自遠距電漿源傳送雙原子氟進入處理室之一製程區域、以及以一原位電漿將該含有兩個原子的氟加以離子化。
摘要（中）：
本发明系有关于用于清洁一半导体制造处理室之一种方法与设备。该方法至少包含导入一含异原子氟的气体至一远距等离子源、分解该含异原子氟的气体、形成双原子氟、自远距等离子源发送双原子氟进入处理室之一制程区域、以及以一原位等离子将该含有两个原子的氟加以离子化。
摘要（英）：
A method and apparatus for cleaning a semiconductor manufacturing chamber comprising introducing a heteroatomic fluorine containing gas to a remote plasma source, disassociating the heteroatomic fluorine containing gas, forming diatomic fluorine, transporting gas from the remote plasma source into a processing region of the chamber, and ionizing the diatomic fluorine with an in situ plasma.