基本信息:
- 专利标题： 具有間隔層之步階尖式接面 STEPPED TIP JUNCTION WITH SPACER LAYER
- 专利标题（英）：Stepped tip junction with spacer layer
- 专利标题（中）：具有间隔层之步阶尖式接面 STEPPED TIP JUNCTION WITH SPACER LAYER
- 申请号：TW094113922 申请日：2005-04-29
- 公开(公告)号：TW200608547A 公开(公告)日：2006-03-01
- 发明人： 艾布拉辛 班 BAN, IBRAHIM , 伯恩哈特 賽爾 SELL, BERNHARD , 桑傑 納塔拉賈恩 NATARAJAN, SANJAY , 馬克 鮑爾 BOHR, MARK
- 申请人： 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
- 申请人地址： 美國
- 专利权人： 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
- 当前专利权人地址： 美國
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 美國 10/847,987 20040517
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明之實施例提供了位於一電晶體的一源極／汲極區與一閘極之間的一步階尖式接面區。在某些實施例中，該電晶體的一間隔物包含一尖式接面間隔層及一源極／汲極間隔層。
摘要（中）：
本发明之实施例提供了位于一晶体管的一源极／汲极区与一闸极之间的一步阶尖式接面区。在某些实施例中，该晶体管的一间隔物包含一尖式接面间隔层及一源极／汲极间隔层。
摘要（英）：
Embodiments of the invention provides a stepped tip junction region between a source/drain region of a transistor and a gate. In some embodiments, a spacer of the transistor includes a tip junction spacer layer and a source/drain spacer layer.
公开/授权文献:
- TWI268593B 具有間隔層之步階尖式接面 STEPPED TIP JUNCTION WITH SPACER LAYER 公开/授权日：2006-12-11