发明专利
TW200601405A 加工精度良好之半導體模組及其製造方法,以及半導體裝置 SEMICONDUCTOR MODULE WITH HIGH MANUFACTURE PRECISION,METHOD FOR MAKING SUCH MODULE,AND SEMICONDUCTOR DEVICE
失效
基本信息:
- 专利标题： 加工精度良好之半導體模組及其製造方法,以及半導體裝置 SEMICONDUCTOR MODULE WITH HIGH MANUFACTURE PRECISION,METHOD FOR MAKING SUCH MODULE,AND SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（英）：Semiconductor module with high manufacture precision, method for making such module, and semiconductor device
- 专利标题（中）：加工精度良好之半导体模块及其制造方法,以及半导体设备 SEMICONDUCTOR MODULE WITH HIGH MANUFACTURE PRECISION,METHOD FOR MAKING SUCH MODULE,AND SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：TW094115866 申请日：2005-05-17
- 公开(公告)号：TW200601405A 公开(公告)日：2006-01-01
- 发明人： 臼井良輔 USUI, RYOSUKE , 中村岳史 NAKAMURA, TAKESHI , 西田篤弘 NISHIDA, ATSUHIRO
- 申请人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.
- 当前专利权人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 日本 2004-169600 20040608
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明提供一種半導體模組，在將絕緣樹脂膜熱壓著並埋入於半導體元件以及被動元件，形成配線後，藉由壓著具備包含元件間絕緣膜之凹部或貫通部之積層膜，將元件之構成要件之材料埋入於凹部內部，形成高電阻元件、高介電率元件，以及形成電阻、電容。並且，在形成上層絕緣樹脂後，形成含有卡魯特(cardo)型聚合物之光阻焊層、並進行配線之形成與焊錫電極之形成。
摘要（中）：
本发明提供一种半导体模块，在将绝缘树脂膜热压着并埋入于半导体组件以及被动组件，形成配线后，借由压着具备包含组件间绝缘膜之凹部或贯通部之积层膜，将组件之构成要件之材料埋入于凹部内部，形成高电阻组件、高介电率组件，以及形成电阻、电容。并且，在形成上层绝缘树脂后，形成含有卡鲁特(cardo)型聚合物之光阻焊层、并进行配线之形成与焊锡电极之形成。
摘要（英）：
An insulation resin film is buried by heat-pressing onto a semiconductor element or a passive element, to form a wiring. Thereafter, a laminated film containing an inter-elements insulation film and a recess or a pass-through portion is press-bonded, and the material constituting an element is buried in the interior part of the recess, so as to form a high resistant member or a high dielectric coefficient member, such as a resistor and a capacitor. After an upper layer insulating resin film is formed, a photo-solder resist layer containing a cardo type polymer is formed to perform a wiring forming process and a solder electrode forming process.