基本信息:
- 专利标题： 積體電路晶粒與基底耦合 INTEGRATED CIRCUIT DIE AND SUBSTRATE COUPLING
- 专利标题（英）：Integrated circuit die and substrate coupling
- 专利标题（中）：集成电路晶粒与基底耦合 INTEGRATED CIRCUIT DIE AND SUBSTRATE COUPLING
- 申请号：TW094107723 申请日：2005-03-14
- 公开(公告)号：TW200540955A 公开(公告)日：2005-12-16
- 发明人： 麥可 沃克 WALK, MICHAEL
- 申请人： 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
- 申请人地址： 美國
- 专利权人： 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
- 当前专利权人地址： 美國
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 美國 10/807,022 20040323
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
一種系統，包括用以界定開口之預先形成部分的填料。這些開口係配置用以使電性互連通過，以使積體電路晶粒耦合至一部分的基底。
摘要（中）：
一种系统，包括用以界定开口之预先形成部分的填料。这些开口系配置用以使电性互连通过，以使集成电路晶粒耦合至一部分的基底。
摘要（英）：
A system may include a pre-formed portion of underfill material defining openings. The openings may be configured to pass electrical interconnects for coupling an integrated circuit die to a portion of a substrate.
公开/授权文献:
- TWI294638B 積體電路晶粒與基底耦合 INTEGRATED CIRCUIT DIE AND SUBSTRATE COUPLING 公开/授权日：2008-03-11