基本信息:
- 专利标题： 감소된 스위칭 전류를 갖는 수직 자기 메모리
- 专利标题（英）：PERPENDICULAR MAGNETIC MEMORY WITH REDUCED SWITCHING CURRENT
- 申请号：KR1020187002134 申请日：2015-06-26
- 公开(公告)号：KR102384258B1 公开(公告)日：2022-04-07
- 国际申请： PCT/US2015/037945 2015-06-26
- 国际公布： WO2016209257 2016-12-29
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/10 ; H01L43/02 ; H01L43/12
摘要：
실시예는장치를포함하며, 이장치는, 기판; 및고정층과제1 및제2 자유층들을포함하는수직자기터널접합(pMTJ)을포함하고; (a) 제1 자유층은코발트(Co), 철(Fe) 및붕소(B)를포함하고, (b) 제2 자유층은에피택셜이고망간(Mn) 및갈륨(Ga)을포함한다. 다른실시예들이본 명세서에설명된다.
摘要（英）：
An embodiment includes an apparatus comprising: a substrate; and a perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) comprising a fixed layer and first and second free layers; wherein (a) the first free layer includes Cobalt (Co), Iron (Fe), and Boron (B), and (b) the second free layer is epitaxial and includes Manganese (Mn) and Gallium (Ga). Other embodiments are described herein.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |