基本信息:
- 专利标题： 커패시터 및 커패시터 제조방법
- 专利标题（英）：CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 申请号：KR1020190018888 申请日：2019-02-19
- 公开(公告)号：KR102250960B1 公开(公告)日：2021-05-11
- 发明人： 박화선 , 서수정 , 오용수 , 나영일 , 서대석 , 신세희
- 申请人： 성균관대학교산학협력단
- 申请人地址： 경기도 수원시 장안구...
- 专利权人： 성균관대학교산학협력단
- 当前专利权人： 성균관대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： 경기도 수원시 장안구...
- 代理人： 남건필; 박종수; 차상윤
- 主分类号： H01L49/02
- IPC分类号： H01L49/02 ; H01L21/768
摘要：
커패시터가개시된다. 상기커패시터는기판의상면및 하면에일정깊이를갖도록각각형성되어서로대칭되게배치되는상부홈및 하부홈을포함하는베이스기판; 상기상부홈상에막 형태로구비되는제1 유전층; 상기하부홈상에막 형태로구비되는제2 유전층; 상기제1 유전층상에구비되는제1 전극; 및상기제2 유전층상에구비되는제2 전극을포함하는것을특징으로한다.
摘要（英）：
Disclosed is a capacitor. The capacitor comprises: a base substrate including an upper groove and a lower groove respectively formed to have a certain depth on an upper surface and a lower surface of the substrate and disposed to face each other; a first dielectric layer provided in a film form on the upper groove; a second dielectric layer provided in a film form on the lower groove; a first electrode provided on the first dielectric layer; and a second electrode provided on the second dielectric layer. Therefore, the small capacitor may be manufactured.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L49/00 | 不包含在H01L27/00至H01L47/00和H01L51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L49/02 | .薄膜或厚膜器件 |