基本信息:
- 专利标题： 막의 가변 온도 어닐링 및 이것에 의해 형성된 구조체
- 专利标题（英）：KR102231408B1 - Varying temperature anneal for film and structures formed thereby
- 申请号：KR1020180152081 申请日：2018-11-30
- 公开(公告)号：KR102231408B1 公开(公告)日：2021-03-26
- 发明人： 리아오슈링 , 카오완-이 , 코충-치
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 김태홍; 김진회
- 优先权： US62/592,973 2017-11-30; US16/100,288 2018-08-10
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324 ; H01L21/02 ; H01L29/66 ; H01L21/8234
摘要：
유전체특징을가진반도체소자구조체및 유전체특징을형성하는방법이여기에서설명된다. 일부예에서, 유전체특징은 ALD 공정후 가변온도어닐링공정에의해형성된다. 유전체특징은고밀도, 낮은탄소농도및 낮은 k 값을가질수 있다. 본발명에따라형성된유전체특징은목표용량효율을위한낮은 k 값을유지하면서에칭화학작용, 플라즈마손상및 후속공정에서의물리적충돌에대한내성이개선된다.
摘要（英）：
A semiconductor device structure having a dielectric feature and a method of forming the dielectric feature are described herein. In some examples, the dielectric features are formed by an ALD process followed by a variable temperature annealing process. The dielectric features can have high density, low carbon concentration and low k value. The dielectric features formed in accordance with the present invention improve resistance to etch chemistry, plasma damage and physical impingement in subsequent processes while maintaining a low k value for target capacity efficiency.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |