基本信息:
- 专利标题： 광전 변환 소자 및 고체 촬상 장치 및 전자 기기
- 专利标题（英）：KR102224334B1 - Photoelectric conversion element, solid-state imaging device and electronic device
- 申请号：KR1020207023166 申请日：2013-10-31
- 公开(公告)号：KR102224334B1 公开(公告)日：2021-03-08
- 发明人： 우다카도루 , 무라타마사키 , 에노키오사무 , 아오누마마사요시 , 미야지사에 , 이토다쿠야 , 스도우미키 , 모리모토루이 , 사사키히로토
- 申请人： 소니 주식회사
- 申请人地址： *-*-* Konan, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 소니 주식회사
- 当前专利权人： 소니 주식회사
- 当前专利权人地址： *-*-* Konan, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 이중희
- 优先权： JPJP-P-2012-247207 2012-11-09
- 国际申请： PCT/JP2013/079528 2013-10-31
- 国际公布： WO2014073446 2014-05-15
- 主分类号： H01L27/30
- IPC分类号： H01L27/30 ; H01L31/10
摘要：
본발명의고체촬상장치는, 각각이광전변환소자(1)를포함하는복수의화소를갖고, 상기광전변환소자(1)는제1 도전형의제1 유기반도체및 제2 도전형의제2 유기반도체를포함함과함께, 제1 및제2 유기반도체중 한쪽의유도체또는이성체를포함하는제3 유기반도체가첨가되어서이루어지는광전변환층(13)과, 광전변환층을사이에두고설치된제1 및제2 전극(12, 14)을구비한것이다.
摘要（英）：
The solid-state imaging device of the present invention has a plurality of pixels each including a photoelectric conversion element 1, and the photoelectric conversion element 1 is a first organic semiconductor of a first conductivity type and a second conductivity type of the second A photoelectric conversion layer 13 formed by adding a third organic semiconductor including an organic semiconductor and a derivative or isomer of one of the first and second organic semiconductors, and a first provided with the photoelectric conversion layer interposed therebetween. And second electrodes 12 and 14.