基本信息:
- 专利标题： 그래핀의 물리적 형상 분석방법
- 专利标题（英）：KR102224170B1 - Analysis method of physical properties of graphene
- 申请号：KR1020190038553 申请日：2019-04-02
- 公开(公告)号：KR102224170B1 公开(公告)日：2021-03-05
- 发明人： 허승헌 , 최기인 , 안욱성 , 김선택 , 이명규 , 김현구
- 申请人： 한국세라믹기술원
- 申请人地址： 경상남도 진주시 소호로 *...
- 专利权人： 한국세라믹기술원
- 当前专利权人： 한국세라믹기술원
- 当前专利权人地址： 경상남도 진주시 소호로 *...
- 代理人： 조성광
- 主分类号： G01N23/2251
- IPC分类号： G01N23/2251 ; G01B15/02 ; G01B15/04 ; G01B15/08
摘要：
본발명은그래핀의물리적형상분석방법에관한것이다. 본발명의그래핀의물리적형상분석방법은다수의미세홈을가지는실리콘기판을준비하고, 상기실리콘기판상에그래핀및 금속코팅막이올려진시편으로제작한후 주사형전자현미경(SEM) 장비를이용하여관찰하되, 상기실리콘기판이판판한바닥과다양한경사각을가지므로, 그래핀형상에관련된두께, 넓이, 직경, 구겨짐, 평탄도등의물리적성질을 SEM 장비를이용하여분석할수 있다.
摘要（英）：
The present invention relates to a method for analyzing the physical shape of graphene.
In the method of analyzing the physical shape of graphene of the present invention, a silicon substrate having a plurality of fine grooves is prepared, and a sample having graphene and a metal coating film is formed on the silicon substrate, and then a scanning electron microscope (SEM) device is used. However, since the silicon substrate has a flat bottom and various inclination angles, physical properties such as thickness, width, diameter, wrinkle, and flatness related to the graphene shape can be analyzed using SEM equipment.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N23/00 | 利用未包括在G01N21/00或G01N22/00组内的波或粒子辐射来测试或分析材料，例如X射线、中子 |
| --------G01N23/02 | .通过使辐射透过材料 |
| ----------G01N23/225 | ..利用电子或离子微探针 |
| ------------G01N23/2251 | ...使用入射电子束，例如扫描电子显微镜 |