基本信息:
- 专利标题： 반도체 기판, 발광 소자 및 전자 소자
- 专利标题（英）：Semiconductor substrate, light emitting device, and Electronic device
- 申请号：KR1020130054094 申请日：2013-05-14
- 公开(公告)号：KR102109048B1 公开(公告)日：2020-05-11
- 发明人： 최재훈 , 최영재
- 申请人： 엘지이노텍 주식회사
- 申请人地址： **, Magokjungang **-ro, Gangseo-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人地址： **, Magokjungang **-ro, Gangseo-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 代理人： 허용록
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L33/02
公开/授权文献:
- KR1020140134375A 반도체 기판, 발광 소자 및 전자 소자 公开/授权日：2014-11-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |