基本信息:
- 专利标题： 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법
- 专利标题（英）：Silicon-carbide trench schottky barrier diode and a method of manufacturing the same
- 申请号：KR1020180059206 申请日：2018-05-24
- 公开(公告)号：KR102097711B1 公开(公告)日：2020-04-06
- 发明人： 석오균 , 강인호 , 김상철 , 김형우 , 나문경 , 문정현 , 방욱
- 申请人： 한국전기연구원
- 申请人地址： 경상남도 창원시 성산구 불모산로**번길 ** (성주동)
- 专利权人： 한국전기연구원
- 当前专利权人： 한국전기연구원
- 当前专利权人地址： 경상남도 창원시 성산구 불모산로**번길 ** (성주동)
- 代理人： 특허법인부경
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66 ; H01L29/47 ; H01L21/768 ; H01L21/3205 ; H01L21/02