基本信息:
- 专利标题： 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
- 专利标题（英）：Method for manufacturing thin film transistor substrate
- 申请号：KR1020110138256 申请日：2011-12-20
- 公开(公告)号：KR102034136B1 公开(公告)日：2019-10-21
- 发明人： 정의진
- 申请人： 엘지디스플레이 주식회사
- 申请人地址： 서울특별시 영등포구 여의대로 ***(여의도동)
- 专利权人： 엘지디스플레이 주식회사
- 当前专利权人： 엘지디스플레이 주식회사
- 当前专利权人地址： 서울특별시 영등포구 여의대로 ***(여의도동)
- 代理人： 특허법인천문
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L27/12 ; H01L29/786 ; H01L29/66 ; B23K26/062
公开/授权文献:
- KR1020130070971A 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 公开/授权日：2013-06-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |