基本信息:
- 专利标题： 가변 저항 메모리 소자
- 专利标题（英）：VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE
- 申请号：KR20190052375 申请日：2019-05-03
- 公开(公告)号：KR20200127712A 公开(公告)日：2020-11-11
- 发明人： YOON JUNG HO , MIZUSAKI SOICHIRO , CHO YOUNG JIN
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
- 优先权： KR20190052375 2019-05-03
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
가변저항메모리소자는제1 방향으로연장하는제1 도전라인, 제1 도전라인상에서제1 방향에교차하는제2 방향으로연장하는제2 도전라인, 제1 도전라인과제2 도전라인사이에제공되는고정저항막, 및제1 도전라인과제2 도전라인사이에제공되는가변저항막을포함하되, 제1 도전라인과제2 도전라인사이에서, 고정저항막과가변저항막은전기적으로서로병렬연결된다.