基本信息:
- 专利标题： 에칭 챔버에서의 에칭량의 신속한 복구를 위해 알루미늄 옥시-플루오라이드 층을 증착하기 위한 방법
- 专利标题（英）：KR20180022590A - Method to deposit aluminum oxy-fluoride layer for fast recovery of etch amount in etch chamber
- 专利标题（中）：- 沉积铝氟氧化物层以快速回收蚀刻室中蚀刻量的方法
- 申请号：KR20170106080 申请日：2017-08-22
- 公开(公告)号：KR20180022590A 公开(公告)日：2018-03-06
- 发明人： WANG JIANQI , PAREEK YOGITA , BAUWIN JULIA , PAPKE KEVIN A
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC
- 优先权： US201662378536 2016-08-23
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
본개시내용의구현들은프로세싱챔버에서사용하기위한챔버컴포넌트를제공한다. 챔버컴포넌트는, 플라즈마프로세싱챔버에서사용하기위한바디, 바디의노출된표면의적어도일부상에형성된배리어산화물층 ―배리어산화물층은약 2 gm/cm또는그 초과의밀도를가짐―, 및배리어산화물층 상에형성된알루미늄옥시플루오라이드층을포함하며, 알루미늄옥시플루오라이드층은약 2 nm 또는그 초과의두께를갖는다.
摘要（中）：
本公开的实施方式提供了用于处理室中的腔室部件。 室部件包括用于在等离子体处理室中使用的主体，形成在主体的暴露表面的至少一部分上的阻挡氧化物层，阻挡氧化物层具有大约2gm / cm 3或更大的密度，以及 在阻挡氧化物层上形成的氟氧化铝层，氟氧化铝层具有约2nm或更大的厚度。
摘要（英）：
Implementation of the present disclosure provide a chamber component for use in a processing chamber. Chamber component, the barrier oxide layer is formed upon at least a portion of the body, the exposed surface of the body for use in a plasma processing chamber, the barrier oxide layer having a density of about 2 gm / cm
3 or greater - and a barrier oxide includes oxy-fluoride layer formed on the layer, oxy-fluoride layer had a thickness of about 2 nm or greater.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |