基本信息:
- 专利标题： SiC 에피택셜 웨이퍼, SiC 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
- 专利标题（英）：Manufacturing method of the SiC epitaxial wafer, SiC epitaxial wafer
- 专利标题（中）：SiC外延片，SiC外延片的制造方法
- 申请号：KR1020177023073 申请日：2016-02-16
- 公开(公告)号：KR1020170102021A 公开(公告)日：2017-09-06
- 发明人： 노리마츠준 , 미야사카아키라 , 가게시마요시아키 , 가메이고지 , 무토다이스케
- 申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
- 申请人地址： **-*, Shibadaimon *-chome, Minato-ku, Tokyo ***-****, Japan
- 专利权人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： **-*, Shibadaimon *-chome, Minato-ku, Tokyo ***-****, Japan
- 代理人： 장수길; 김명곤
- 优先权： JPJP-P-2015-041315 2015-03-03
- 国际申请： PCT/JP2016/054417 2016-02-16
- 国际公布： WO2016140051 2016-09-09
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/324 ; H01L21/3065 ; C30B29/36
摘要：
본발명의일 형태에관한 SiC 에피택셜웨이퍼는, (0001)면으로부터 방향으로 4도이하의오프셋각을갖는 SiC 단결정기판위에 SiC 에피택셜층이형성된 SiC 에피택셜웨이퍼이며, 상기 SiC 에피택셜웨이퍼에포함되는사다리꼴결함이, 스텝플로우하류측의아랫변의길이가스텝플로우상류측의윗변의길이이하인반전된사다리꼴결함을포함한다.
摘要（中）：
根据从SiC单晶基片上具有含偏移的<11-20>方向，每SiC外延层4下表面土井的SiC外延晶片中，SiC本发明的一个实施方案中，（0001）SiC外延晶片 具有梯形的缺陷时，缺陷的长度，或在步骤流上游侧被包括在外延晶片的底侧长度的步骤流下游侧的上侧的较少梯形相反。
摘要（英）：
SiC epitaxial wafer according to one embodiment of the present invention, (0001) from the <11-20> in Figure 4 and the SiC epitaxial wafer having a SiC epitaxial layer on a SiC single crystal substrate with an offset angle of the plane direction is less than the the trapezoidal defects contained in the SiC epitaxial wafer includes a trapezoidal defect with a lower side length of the step-flow downstream side reversed or less length of the upper side of the step-flow upstream side.
公开/授权文献:
- KR102044616B1 SiC 에피택셜 웨이퍼, SiC 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 公开/授权日：2019-11-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |