基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치와 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
- 专利标题（英）：Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
- 专利标题（中）：包括半导体器件的半导体器件制造方法及其显示器件
- 申请号：KR1020177003901 申请日：2015-07-09
- 公开(公告)号：KR1020170029600A 公开(公告)日：2017-03-15
- 发明人： 코에즈카주니치 , 오카자키케니치 , 쿠로사키다이스케 , 시마유키노리 , 호사카야스하루
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 장훈
- 优先权： JPJP-P-2014-144659 2014-07-15; JPJP-P-2015-010055 2015-01-22
- 国际申请： PCT/IB2015/055187 2015-07-09
- 国际公布： WO2016009310 2016-01-21
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/04 ; H01L29/66 ; H01L21/02
Transistor comprises a gate electrode, a gate electrode a gate insulating film, an oxide semiconductor film on the gate insulating film, and an oxide electrically source electrode and a drain electrode connected to the semiconductor film above. An oxide semiconductor film including a gate electrode side includes a first oxide semiconductor film, the second oxide semiconductor film over the oxide semiconductor film. The first oxide semiconductor film of In atom ratio of M comprises a large first region than (M is Ti, Ga, Sn, Y, Zr, La, Ce, Nd, or Hf). The second area comprises a small percentage of the second oxide semiconductor film is In atoms than the first oxide semiconductor film. The second region comprises a thin part than the first region.
公开/授权文献:
- KR102399893B1 반도체 장치와 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 公开/授权日：2022-05-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |