基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기
- 专利标题（英）：Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
- 专利标题（中）：包括半导体器件的半导体器件和电子器件
- 申请号：KR1020177000459 申请日：2015-05-27
- 公开(公告)号：KR1020170015982A 公开(公告)日：2017-02-10
- 发明人： 츠부쿠마사시 , 다케우치도시히코 , 야마네야스마사 , 오오타마사시
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 양영준; 박충범
- 优先权： JPJP-P-2014-122284 2014-06-13
- 国际申请： PCT/IB2015/053947 2015-05-27
- 国际公布： WO2015189731 2015-12-17
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/66 ; H01L29/04 ; H01L29/10 ; H01L21/02
摘要：
반도체장치가제 1 산화물반도체막, 제 1 산화물반도체막위의제 2 산화물반도체막, 제 2 산화물반도체막과접촉되는소스전극, 제 2 산화물반도체막과접촉되는드레인전극, 제 2 산화물반도체막, 소스전극, 및드레인전극위의금속산화물막, 금속산화물막위의게이트절연막, 및게이트절연막위의게이트전극을포함한다. 금속산화물막은(은 Ti, Ga, Y, Zr, La, Ce, Nd, 또는 Hf를나타냄) 및 Zn을함유한다. 금속산화물막은타깃의원자수비가:Zn=:일때,/(+)가 0.67보다크고 0.99 이하인부분을포함한다.
摘要（中）：
半导体器件包括第一氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，与第二氧化物半导体膜接触的源极，与第二氧化物半导体膜接触的漏电极，金属氧化物膜 在第二氧化物半导体膜，源电极和漏极上，在金属氧化物膜上方的栅极绝缘膜，以及栅极绝缘膜上的栅电极。 金属氧化物膜含有M（M表示Ti，Ga，Y，Zr，La，Ce，Nd或Hf）和Zn。 当靶的原子比为M:Zn = x:y时，金属氧化物膜包括x /（x + y）大于0.67且小于或等于0.99的部分。
摘要（英）：
The semiconductor device of the first oxide semiconductor film, a first oxide semiconductor layer a second oxide semiconductor film of the above, the drain dioxide in contact with the semiconductor source electrode in contact with the film, the second oxide semiconductor film electrode, a second oxide semiconductor film, a source electrode, and a drain electrode above the metal oxide film, metal oxide film comprises a gate electrode over the above gate insulating film, and the gate insulating film. M is a metal oxide film containing (M represents the Ti, Ga, Y, Zr, La, Ce, Nd, or Hf) and Zn. The atomic ratio of the metal oxide layer target M: Zn = x: when y, and x / (x + y) comprises a large and 0.99 or less than 0.67 part.
公开/授权文献:
- KR102437450B1 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기 公开/授权日：2022-08-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |