基本信息:
- 专利标题： MgO계 세라믹스막, 반도체 제조 장치용 부재 및 MgO계 세라믹스막의 제법
- 专利标题（英）：Mgo-based ceramic film, member for semiconductor production apparatus, and method for producing mgo-based ceramic film
- 专利标题（中）：用于半导体生产装置的MgO MgO基于MGO的陶瓷膜部件和用于生产基于MGO的陶瓷膜的方法
- 申请号：KR1020167035783 申请日：2015-06-12
- 公开(公告)号：KR1020170005123A 公开(公告)日：2017-01-11
- 发明人： 사토요스케 , 이노우에가츠히로 , 가츠다유지
- 申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 申请人地址： *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
- 专利权人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 当前专利权人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 当前专利权人地址： *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
- 代理人： 김태홍; 김진회
- 优先权： JPJP-P-2014-133870 2014-06-30
- 国际申请： PCT/JP2015/067031 2015-06-12
- 国际公布： WO2016002480 2016-01-07
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/48 ; C23C4/10 ; H01L21/324
摘要：
본발명의 MgO계세라믹스막은, MgO에 Al이고용되어있으며, CuK 알파선을이용하였을때의 XRD 측정에있어서 MgO (200)면의회절피크가 2θ=42.92°보다고각측으로시프트하고있고, 결정상으로서 MgO와 MgAlO를포함하는것이다. MgO (200)면의회절피크는고각측에숄더를가지고있는것이바람직하다. 또한, Mg와 Al을산화물환산하였을때의 MgO와 AlO의질량비(MgO/AlO)가 2.33보다큰 것이바람직하다.
摘要（中）：
在这种MgO基陶瓷膜中，Al是MgO的固溶体，在使用CuKα辐射获得的XRD测定中，MgO（200）面衍射峰向高角度侧移向高于42.92°的2θ值，MgO和 MgAl 2 O 4作为结晶相包含。 MgO（200）面衍射峰优选在高角度侧具有肩。 此外，MgO和Al2O3（MgO / Al2O3）的质量比优选以Mg和Al的氧化物计大于2.33。
摘要（英）：
And the Al is employed by the MgO-based ceramic film, MgO of the present invention, a diffraction peak of MgO (200) surface and is shifted to a high angle than 2θ = 42.92 ° in the XRD measurement of when using CuK alpha rays, a crystalline MgO and MgAl to include
2 O
4. Diffraction peaks of a MgO (200) surface, it is preferable that has a shoulder on the high angle side. Further, it is preferable that the weight ratio of MgO and Al
2 O
3 in terms of oxides when the Mg and Al (MgO / Al
2 O
3) is greater than 2.33.
公开/授权文献:
- KR102059092B1 MgO계 세라믹스막, 반도체 제조 장치용 부재 및 MgO계 세라믹스막의 제법 公开/授权日：2019-12-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |