基本信息:
- 专利标题： 미스컷 기판을 이용한 고전력 질화 갈륨 전자 장치
- 专利标题（英）：High power gallium nitride electronics using miscut substrates
- 专利标题（中）：使用MISCUT基板的高功率氮化钠电子
- 申请号：KR1020167014318 申请日：2014-11-03
- 公开(公告)号：KR1020160079847A 公开(公告)日：2016-07-06
- 发明人： 키질얄리아이식씨. , 부르데이비드피. , 프룬티토마스알. , 예강펑
- 申请人： 아보기, 인코포레이티드
- 申请人地址： *** River Oaks Parkway, San Jose, California *****, USA
- 专利权人： 아보기, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 아보기, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： *** River Oaks Parkway, San Jose, California *****, USA
- 代理人： 오병석; 함수옥
- 优先权： US14/071,032 2013-11-04
- 国际申请： PCT/US2014/063656 2014-11-03
- 国际公布： WO2015066596 2015-05-07
- 主分类号： H01L29/04
- IPC分类号： H01L29/04 ; H01L29/20 ; H01L29/66 ; H01L29/861 ; H01L29/06 ; H01L21/02
摘要：
전자디바이스는, 육방정(hexagonal crystal) 구조를갖고,방향으로부터의오배향이 0.15° 내지 0.65°인성장표면에대한법선을갖는 III-V 기판을포함한다. 상기전자디바이스는또한, 상기 III-V 기판에연결된제1 에피택시레이어및 상기제1 에피택시레이어에연결된제2 에피택시레이어를포함한다. 상기전자디바이스는, 상기기판과전기적으로접촉하는제1 컨택및 상기제2 에피택시레이어와전기적으로접촉하는제2 컨택을더 포함한다.
摘要（中）：
一种电子器件包括具有六方晶系结构的III-V衬底和与生长表面垂直的III-V衬底，其特征在于从<0001>方向在0.15°至0.65°之间的取向偏差。 电子器件还包括耦合到III-V衬底的第一外延层和耦合到第一外延层的第二外延层。 电子器件还包括与衬底电接触的第一触点和与第二外延层电接触的第二触点。
摘要（英）：
Electronic device, having a hexagonal crystal (hexagonal crystal) structure, Cucumbers from the direction of orientation comprises a III-V substrate having a surface normal to the growth of 0.15 ° to 0.65 °. The electronic device also includes a first epitaxial layer and the second epitaxial layer connected to the first epitaxial layer coupled to the III-V substrate. The electronic device, a second contact to the first contact and in electrical contact with the second epitaxial layer electrically contacting the substrate further comprises.
公开/授权文献:
- KR102257666B1 미스컷 기판을 이용한 고전력 질화 갈륨 전자 장치 公开/授权日：2021-05-27