基本信息:
- 专利标题： 멀티-비트 강유전체 메모리 디바이스 및 멀티-비트 강유전체 메모리 디바이스를 형성하는 방법
- 专利标题（英）：Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same
- 专利标题（中）：多位电磁存储器件及其形成方法
- 申请号：KR1020167014410 申请日：2014-10-29
- 公开(公告)号：KR1020160072264A 公开(公告)日：2016-06-22
- 发明人： 카르다,카말엠. , 기얼리,에프.다니엘 , 라마스와미,디.브이.널말 , 모우리,샨드라브이.
- 申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 申请人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 当前专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 当前专利权人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 代理人： 양영준; 백만기
- 优先权： US14/068,887 2013-10-31
- 国际申请： PCT/US2014/062820 2014-10-29
- 国际公布： WO2015066129 2015-05-07
- 主分类号： H01L43/12
- IPC分类号： H01L43/12 ; H01L43/02 ; H01L43/10 ; G11C11/22 ; G11C11/56 ; H01L27/115 ; H01L49/02
摘要：
멀티-비트강유전체메모리디바이스및 멀티-비트강유전체메모리디바이스를형성하는방법이제공된다. 멀티-비트강유전체메모리디바이스를형성하는일례의방법은비아의제1 측면상에제1 강유전체재료를형성하는단계, 비아의제2 측면을노출시키도록재료를제거하는단계, 및비아의제1 측면에비해다른두께로비아의제2 측면상에제2 강유전체재료를형성하는단계를포함할수 있다.
摘要（英）：
A multi-bit ferroelectric memory device and a multi-bit A method of forming a ferroelectric memory device is provided. Multi-step of removing the material way of example to form a bit ferroelectric memory device includes forming a first ferroelectric material on a first side of the via, so as to expose the second side of the via, and the first side of the via in thickness compared to the other it can comprise forming a second ferroelectric material on a second side of the via.
公开/授权文献:
- KR101773731B1 멀티-비트 강유전체 메모리 디바이스 및 멀티-비트 강유전체 메모리 디바이스를 형성하는 방법 公开/授权日：2017-08-31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/12 | .专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |