基本信息:
- 专利标题： 반도체 소자의 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for fabricating semicondcutor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：KR1020140022069 申请日：2014-02-25
- 公开(公告)号：KR1020150101043A 公开(公告)日：2015-09-03
- 发明人： 허버트프랑소와 , 썬아이샨 , 김영배 , 김영주 , 김광일 , 오인택 , 문진우
- 申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
- 申请人地址： 충북 청주시 흥덕구 향정동 *
- 专利权人： 매그나칩 반도체 유한회사
- 当前专利权人： 매그나칩 반도체 유한회사
- 当前专利权人地址： 충북 청주시 흥덕구 향정동 *
- 代理人： 김종선; 이형석
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 고전압용 수평형 MOSFET 장치에 있어 별도의 에피층이나 배리드 층(buried layer) 없이 항복 전압(Breakdown Voltage)을 높일 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
摘要（中）：
本发明涉及半导体器件的制造方法。 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件可以在没有用于高电压的水平型MOSFET器件中的单独外延层或掩埋层的情况下增加击穿电压。
摘要（英）：
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, in the horizontal MOSFET device for high voltage relates to a method for producing a semiconductor device that can increase the additional epitaxial layers and times lead layer (buried layer) Breakdown voltage (Breakdown Voltage) without will be.
公开/授权文献:
- KR101842318B1 반도체 소자의 제조 방법 公开/授权日：2018-03-27
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |