基本信息:
- 专利标题: 웨이퍼 본딩 공정 및 구조물
- 专利标题(英):Wafer bonding process and structure
- 专利标题(中):WAFER BONDING PROCESS AND STRUCTURE
- 申请号:KR1020140180457 申请日:2014-12-15
- 公开(公告)号:KR1020150100478A 公开(公告)日:2015-09-02
- 发明人: 리우핑인 , 광순청 , 샤오쳉타이 , 후앙신후아 , 차오란린
- 申请人: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址: No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址: No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人: 김태홍
- 优先权: US14/189,917 2014-02-25
- 主分类号: H01L21/58
- IPC分类号: H01L21/58
摘要:
반도체 디바이스 및 그 제조 방법이 개시된다. 일실시예에서 하나 이상의 패시베이션층이 제1 기판 상부에 형성된다. 리세스가 패시베이션층 내에 형성되고, 하나 이상의 도전성 패드가 리세스 내에 형성된다. 하나 이상의 배리어층이 패시베이션층과 도전성 패드 사이에 형성된다. 제1 기판의 도전성 패드들이 제2 기판의 도전성 패드들과 정렬되어 직접적인 본딩 방법을 이용하여 본딩된다.
摘要(中):
公开了一种半导体器件及其制造方法。 在一个实施例中,一个或多个钝化层形成在第一衬底的上部上。 在钝化层中形成凹部,并且在凹部中形成一个或多个导电垫。 在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个势垒层。 第一基板的导电焊盘与第二基板的导电焊盘对准,并且通过直接焊接方法接合。
摘要(英):
The semiconductor device and its manufacturing method are disclosed. At least one passivation layer in one embodiment is formed in the first board top. A recess is formed in the passivation layer, it is formed in a recess of one or more conductive pads. At least one barrier layer is formed between the passivation layer and the conductive pad. Conductive pads of the first substrate are aligned with the conductive pads of the second substrate is bonded by a direct bonding method.
公开/授权文献:
- KR101705950B1 웨이퍼 본딩 공정 및 구조물 公开/授权日:2017-02-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
--------------H01L21/58 | ....半导体器件在支架上的安装 |