基本信息:
- 专利标题： 산화물 반도체 형성방법
- 专利标题（英）：Method for forming oxide semiconductor
- 专利标题（中）：形成氧化物半导体的方法
- 申请号：KR1020140021441 申请日：2014-02-24
- 公开(公告)号：KR1020150100088A 公开(公告)日：2015-09-02
- 发明人： 오힘찬 , 황치선 , 양종헌 , 추혜용
- 申请人： 한국전자통신연구원
- 申请人地址： 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
- 专利权人： 한국전자통신연구원
- 当前专利权人： 한국전자통신연구원
- 当前专利权人地址： 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
- 代理人： 특허법인 고려
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324 ; H01L21/316
摘要：
본 발명은 산화물 반도체 형성방법을 제공한다. 이 산화물 반도체 형성방법은 반응기 내에 용매를 채우는 것, 상기 반응기에 산화물반도체막이 형성된 기판을 넣는 것, 및 상기 반응기를 가열하여 상기 산화물반도체막을 용매열처리하는 것을 포함할 수 있다.
摘要（中）：
本发明提供一种形成氧化物半导体的方法。 形成氧化物半导体的方法可以包括以下步骤：用溶剂填充反应器; 将具有氧化物半导体层的衬底插入反应器中; 并通过加热反应器对氧化物半导体层进行溶剂热处理。
摘要（英）：
The present invention provides a method for forming the oxide semiconductor. The oxide semiconductor forming method may include filling the solvent in the reactor and heat-treating the substrate to place the oxide semiconductor film is formed in the reactor, and a solvent by heating the reactor, the oxide semiconductor film.
公开/授权文献:
- KR102216310B1 산화물 반도체 형성방법 公开/授权日：2021-02-18
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |