基本信息:
- 专利标题: 증폭기 캐스코드 디바이스들의 정전기 방전 보호
- 专利标题(英):Electrostatic discharge protection of amplifier cascode devices
- 专利标题(中):放大器放电器件的静电放电保护
- 申请号:KR1020157018760 申请日:2013-12-19
- 公开(公告)号:KR1020150097622A 公开(公告)日:2015-08-26
- 发明人: 카트리,히만수 , 촉시,오자스엠. , 추오,웨이
- 申请人: 퀄컴 인코포레이티드
- 申请人地址: **** Morehouse Drive, San Diego, CA *****-****, U.S.A.
- 专利权人: 퀄컴 인코포레이티드
- 当前专利权人: 퀄컴 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: **** Morehouse Drive, San Diego, CA *****-****, U.S.A.
- 代理人: 특허법인 남앤드남
- 优先权: US13/720,836 2012-12-19
- 国际申请: PCT/US2013/076715 2013-12-19
- 国际公布: WO2014100491 2014-06-26
- 主分类号: H03F1/52
- IPC分类号: H03F1/52 ; H03F1/22 ; H02H9/04
摘要:
예시적인 실시예들은 증폭기의 캐스코드 디바이스의 정전기 방전(ESD) 보호를 제공하는 것에 관한 것이다. 예시적인 실시예에서, 트랜지스터는 바이어스 전압을 수신하도록 구성되고, 적어도 하나의 회로 소자는 트랜지스터에 커플링되고, 입력 패드를 통해 입력 전압을 수신하도록 구성된다. 부가적으로, 적어도 하나의 다이오드는, 제 1 트랜지스터의 드레인에 커플링되고, 입력 패드에 의해 야기된 증폭기의 내부 노드에서 전압 전위를 제한하도록 구성될 수 있다.
摘要(英):
Exemplary embodiments are directed to providing an electrostatic discharge (ESD) protection devices in a cascode amplifier. In an exemplary embodiment, the transistor is configured to receive a bias voltage, at least one circuit element is coupled to a transistor, configured to receive an input voltage through an input pad. Additionally, it can be of at least one diode, and coupling a drain of the first transistor, to limit the voltage potential at the internal node of the amplifier caused by input pad.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H03 | 基本电子电路 |
----H03F | 放大器 |
------H03F1/00 | 只用电子管,只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 |
--------H03F1/52 | .保护此类放大器用的电路装置 |