发明公开
KR1020150096470A 50 nm 이하의 선-공간 치수를 갖는 패턴화된 재료를 처리할 때 항 패턴 붕괴를 피하기 위한 계면활성제 및 소수성화제를 포함하는 조성물의 용도
审中-实审
基本信息:
- 专利标题： 50 nm 이하의 선-공간 치수를 갖는 패턴화된 재료를 처리할 때 항 패턴 붕괴를 피하기 위한 계면활성제 및 소수성화제를 포함하는 조성물의 용도
- 专利标题（英）：Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below
- 专利标题（中）：使用包含表面活性剂和疏水剂的组合物，用于避免在50nm或以下的线空间处理图案的材料时避免图案皱褶
- 申请号：KR1020157018741 申请日：2013-12-04
- 公开(公告)号：KR1020150096470A 公开(公告)日：2015-08-24
- 发明人： 클리프안드레아스 , 혼치우크안드레이 , 외터귄터 , 비트너크리슈티안
- 申请人： 바스프 에스이
- 申请人地址： Carl-Bosch-Strasse **, ***** Ludwigshafen am Rhein, Germany
- 专利权人： 바스프 에스이
- 当前专利权人： 바스프 에스이
- 当前专利权人地址： Carl-Bosch-Strasse **, ***** Ludwigshafen am Rhein, Germany
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： US61/737,123 2012-12-14
- 国际申请： PCT/IB2013/060616 2013-12-04
- 国际公布： WO2014091363 2014-06-19
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/02 ; C11D1/835 ; C11D1/94 ; C11D11/00
摘要：
50 nm 이하의 선-공간 치수를 갖는 패턴을 포함하는 기판을 처리하기 위한, 하기와 같은 하나 이상의 비-이온성 계면활성제 A 및 하나 이상의 소수성화제 (hydrophobizer) B 를 포함하는 수성 조성물의 용도:
(a) 계면활성제 A 는 임계 미셀 농도에서 물 중 하나 이상의 계면활성제 A 의 용액으로부터 측정되는, 10 mN/m 내지 35 mN/m 의 평형 표면 장력을 가지고,
(b) 소수성화제 B 는 기판에 대한 물의 접촉 각이 물 중 소수성화제 B 의 용액으로 기판을 접촉함으로써 이러한 접촉 전 기판에 대한 물의 접촉 각과 비교하여 5-95°증가되는 식으로 선택됨.
摘要（英）：
(a) 계면활성제 A 는 임계 미셀 농도에서 물 중 하나 이상의 계면활성제 A 의 용액으로부터 측정되는, 10 mN/m 내지 35 mN/m 의 평형 표면 장력을 가지고,
(b) 소수성화제 B 는 기판에 대한 물의 접촉 각이 물 중 소수성화제 B 의 용액으로 기판을 접촉함으로써 이러한 접촉 전 기판에 대한 물의 접촉 각과 비교하여 5-95°증가되는 식으로 선택됨.
One or more as described below for processing a substrate including a pattern having a spatial dimension, the non-line of 50 nm or less ionic surface active agent A and the use of an aqueous composition comprising at least one hydrophobic agent (hydrophobizer) B:
(A) A surfactant has a, 10 mN / m to 35 mN / m Equilibrium surface tension of which is measured from a solution of at least one surfactant A of the water in the critical micelle concentration,
(B) hydrophobic agents B are selected in a way that compares water contact angle for this pre-contact the substrate by contacting the substrate with a solution of a hydrophobic agent B of the water contact angle of water on the substrate increase 5-95 °.
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |