基本信息:
- 专利标题： 가변 트림 파라미터들을 갖는 메모리 디바이스
- 专利标题（英）：Memory device with variable trim parameters
- 专利标题（中）：具有可变TRIM参数的存储器件
- 申请号：KR1020140167192 申请日：2014-11-27
- 公开(公告)号：KR1020150096305A 公开(公告)日：2015-08-24
- 发明人： 기타가와마코토 , 구니히로다카후미 , 오츠카와타루 , 쯔시마도모히토
- 申请人： 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-* Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa JAPAN
- 专利权人： 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-* Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa JAPAN
- 代理人： 장수길; 이중희
- 优先权： US14/181,054 2014-02-14
- 主分类号： G11C29/02
- IPC分类号： G11C29/02 ; G11C29/00 ; G06F3/06 ; G11C5/14 ; G11C16/34 ; G11C17/16
摘要：
메모리 디바이스는, 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 어레이, 메모리 어레이에 연결된 두 개 이상의 퓨즈들, 및 두 개 이상의 퓨즈들 중 인에이블될 하나를 선택하는 모드 레지스터를 포함하고, 두 개 이상의 퓨즈들 각각은 메모리 어레이에 대한 트림 데이터를 포함한다.
摘要（中）：
存储器装置包括包括多个存储器单元的存储器阵列; 连接到存储器阵列的两个或更多个熔丝; 以及选择在所述保险丝之间启用的模式寄存器，其中每个所述保险丝包括关于所述存储器阵列的修剪数据。
摘要（英）：
The memory device includes a plurality of memory cells, the memory array, a mode register for selecting two or more fuses associated with the memory array, and more than one fuse to the one to be enabled of containing, and each of the more than one fuse includes a stream of data to the memory array.
公开/授权文献:
- KR101755772B1 가변 트림 파라미터들을 갖는 메모리 디바이스 公开/授权日：2017-07-07
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C29/00 | 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器 |
| --------G11C29/02 | .损坏的备用电路的检测或定位，例如，损坏的刷新计数器 |