基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：KR1020150016200 申请日：2015-02-02
- 公开(公告)号：KR1020150092708A 公开(公告)日：2015-08-13
- 发明人： 나까야마다쯔오 , 미야모또히로노부 , 오까모또야스히로 , 미우라요시나오 , 이노우에다까시
- 申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**, Toyosu *-chome, Koutou-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**, Toyosu *-chome, Koutou-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 이중희
- 优先权： JPJP-P-2014-019950 2014-02-05
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66 ; H01L29/51
＋ 층(NL), n형층(Dn), p형층(Dp), 채널층(CH) 및 장벽층(BA) 중, 장벽층(BA)을 관통하고, 채널층(CH)의 도중까지 도달하는 홈(T)과, 이 홈(T) 내에 게이트 절연막(GI)을 개재하여 배치된 게이트 전극(GE)과, 게이트 전극(GE)의 양측의 장벽층(BA)의 상방에 각각 형성된 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 갖도록 반도체 장치를 구성한다. 그리고, n
＋ 층(NL)까지 도달하는 접속부(VIAD)에 의해, n형층(Dn)과 드레인 전극(DE)을 전기적으로 접속한다. 또한, p형층(Dp)까지 도달하는 접속부(VIAS)에 의해, p형층(Dp)과 소스 전극(SE)을 전기적으로 접속한다. 이와 같이, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)과의 사이에, p형층(Dp) 및 n형층(Dn)을 포함하는 다이오드를 설치함으로써, 애벌란시 항복에 의한 소자의 파괴를 방지한다.
An object of the present invention is to improve the characteristics of the semiconductor device. Of the n
+ layer (NL), n-type layer (Dn), p-type layer (Dp), the channel layer (CH) and the barrier layer (BA) formed above the substrate (S), and pass through the barrier layer (BA), the channel layer (CH) groove (T) and a groove (T) in both side barrier layer between the gate electrode (GE) arranged by interposing the gate insulating film (GI), the gate electrode (GE) (BA to reach the middle of the ) constitutes the semiconductor device to have a source electrode (SE) and drain electrodes (DE), respectively formed above the. Then, the electrical connection between the, n-type layer (Dn) and a drain electrode (DE) by the connection portion (VIAD) to reach the n
+ layer (NL). In addition, p by a connecting portion (VIAS) to reach type layer (Dp), and electrically connecting the p-type layer (Dp) and the source electrode (SE). In this way, by providing the diode, including, p-type layer (Dp) and the n-type layer (Dn) between the source electrode (SE) and the drain electrode (DE), and prevents the destruction of the element due to avalanche breakdown.