基本信息:
- 专利标题： 유기아미노실란 전구체 및 이를 포함하는 필름을 증착시키는 방법
- 专利标题（英）：Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
- 专利标题（中）：有机氨基硅烷衍生物及其沉积膜的方法
- 申请号：KR1020140125031 申请日：2014-09-19
- 公开(公告)号：KR1020150032816A 公开(公告)日：2015-03-30
- 发明人： 오'네일,마크레오나르드 , 시아오,만차오 , 레이,신지안 , 호,리차드 , 찬드라,하리핀 , 맥도날드,매튜알. , 왕,메일리앙
- 申请人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
- 申请人地址： **** S. River Parkway, Tempe, AZ *****, U.S.A.
- 专利权人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
- 当前专利权人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
- 当前专利权人地址： **** S. River Parkway, Tempe, AZ *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US14/483,751 2014-09-11; US61/880,261 2013-09-20
- 主分类号： C07F7/10
- IPC分类号： C07F7/10 ; C23C16/18 ; C23C16/455 ; C23C16/513
한 가지 특정 구체예에서, 유기아미노실란 전구체는 규소-함유 필름 저온(예, 350℃ 또는 그 미만), 원자층 증착(ALD) 또는 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD)에 효과적이다. 또한, 본원에서는 아민, 할라이드(예, Cl, F, I, Br), 고분자량 종(higher molecular weight species), 및 미량의 금속으로부터 선택된 하나 이상이 실질적으로 없는 본원에 기재된 유기아미노실란을 포함하는 조성물이 기재된다.
The precursor and a method for forming a film are described containing-silicon herein. In one embodiment, the precursor is to contain a compound that is expressed in one of the general formula (A) to general formula (E):
In one particular embodiment, the organic aminosilane precursor is a silicon-containing film is effective for low-temperature (e.g., 350 ℃ or less), atomic layer deposition (ALD) or plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD). In addition, the present application the amine, halide (e.g., Cl, F, I, Br), high molecular weight species (higher molecular weight species), and at least one selected from the metal traces of the included organic aminosilanes described herein is substantially free of this composition is described.
公开/授权文献:
- KR101749705B1 유기아미노실란 전구체 및 이를 포함하는 필름을 증착시키는 방법 公开/授权日：2017-06-23