基本信息:
- 专利标题： 규소 이온 주입 동안에 이온 빔 전류 및 성능을 개선하기 위한 규소-함유 도펀트 조성물, 시스템 및 그의 사용 방법
- 专利标题（英）：Silicon-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during silicon ion implantation
- 专利标题（中）：含硅含量的组合物，系统及其使用方法，用于改善离子束电流和硅离子植入过程中的性能
- 申请号：KR1020157004759 申请日：2013-08-28
- 公开(公告)号：KR1020150030777A 公开(公告)日：2015-03-20
- 发明人： 신하애쉬위니케이 , 브라운로이드앤쏘니 , 캄퓨서지마리우스
- 申请人： 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드
- 申请人地址： 미국 *****-**** 코네티컷 데인베리 올드 리지베리 로드 **
- 专利权人： 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： 미국 *****-**** 코네티컷 데인베리 올드 리지베리 로드 **
- 代理人： 양영준; 조윤성
- 优先权： US61/693,916 2012-08-28; US14/011,887 2013-08-28
- 国际申请： PCT/US2013/056958 2013-08-28
- 国际公布： WO2014036064 2014-03-06
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317 ; H01J37/08 ; H01J37/32
摘要：
규소 이온 주입 동안에 빔 전류를 개선하기 위한 도펀트 기체 조성물, 시스템 및 방법이 제공된다. 규소 이온 주입 공정은 제1 규소-기재 보조-종 및 제2 종을 사용하는 것을 포함한다. 제2 종은 활성 규소 이온 종의 발생 및 주입 동안에 사용되는 이온 공급원의 작동 아크 전압에서 제1 규소-기재 종보다 큰 이온화 단면적을 갖도록 선택된다. 활성 규소 이온은 단독의 SiF4로부터 발생되는 빔 전류와 비교하였을 때, 이온 공급원의 열화 발생 없이 빔 전류 준위를 유지하거나 증가시키는 것을 특징으로 하는 개선된 빔 전류를 발생시킨다.
摘要（英）：
The dopant gas composition, system and method for improving the beam current is provided during silicon ion implantation. Silicon ion implantation process is a first silicon-containing species, and the use of a second species-base auxiliary. The second kind is silicon in the first working arc voltage of the ion source that is used during the generation and injection of the active silicon ion species is selected to have a greater ionization sectional area than the base species. Active silicon ions produces an improved beam current characterized in that when compared to the beam current to be generated from a single SiF4, keeping the beam current levels or no degradation occurs in the ion source increases.
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入 |