基本信息:
- 专利标题: 반도체 장치 그 제조 방법
- 专利标题(英):Semiconductor device and method for fabricating the same
- 专利标题(中):半导体器件及其制造方法
- 申请号:KR1020130105513 申请日:2013-09-03
- 公开(公告)号:KR1020150026531A 公开(公告)日:2015-03-11
- 发明人: 김현주 , 장재준 , 장훈 , 김재호 , 조규헌
- 申请人: 삼성전자주식회사
- 申请人地址: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人: 삼성전자주식회사
- 当前专利权人: 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人: 특허법인가산
- 主分类号: H01L29/872
- IPC分类号: H01L29/872
摘要:
반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 제1 도전형의 에피층(epitaxial layer), 에피층 상에 서로 분리되어 배치된 애노드(anode) 전극 및 캐소드(cathod) 전극, 에피층 내에 형성된 제1 도전형의 제1 드리프트층(dirft layer), 에피층 내에 형성된 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물 영역, 및 애노드 전극과 제1 드리프트층이 접촉하여 정의되는 쇼트키 컨택 영역 하부에 형성된 아일랜드(island) 불순물 영역을 포함한다.
摘要(中):
提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括在外延层上彼此分离的第一导电性外延层,阳极电极和阴极电极,在外延层中形成的第一导电体的第一漂移层,第二导电层的杂质区域 电导率不同于第一导电性的岛状杂质区域和形成在由阳极电极和第一漂移层的接触限定的肖特基接触区域的下部的岛状杂质区域。
摘要(英):
The semiconductor device and its manufacturing method are provided. The semiconductor device includes a first conductive type epitaxial layer (epitaxial layer), an anode (anode) disposed separated from each other on the epi-layer electrode and a cathode (cathod) electrode, a first drift layer of a first conductivity type formed in the epitaxial layer a first conductivity type and an impurity of the other second conductivity type regions, and an anode electrode and the island (island) impurity region first drift layer is formed on the Schottky contact area the lower is defined by the contact formed in the (dirft layer), the epilayer It includes.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件 |
--------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流,放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
------------H01L29/861 | ...二极管 |
--------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |