基本信息:
- 专利标题： 터널링 전계 효과 트랜지스터
- 专利标题（英）：Tunneling field effect transistor
- 专利标题（中）：隧道场效应晶体管
- 申请号：KR1020130104400 申请日：2013-08-30
- 公开(公告)号：KR1020150026066A 公开(公告)日：2015-03-11
- 发明人： 허지현
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
터널링 전계 효과 트랜지스터가 개시된다.
개시된 터널링 전계 효과 트랜지스터는 소스 전극, 상기 소스 전극으로부터 이격된 드레인 전극, 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이의 채널층 및 상기 채널층 상의 일부에 중첩되게 배치된 게이트 전극을 포함한다.
摘要（中）：
개시된 터널링 전계 효과 트랜지스터는 소스 전극, 상기 소스 전극으로부터 이격된 드레인 전극, 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이의 채널층 및 상기 채널층 상의 일부에 중첩되게 배치된 게이트 전극을 포함한다.
公开了一种隧道场效应晶体管。 所公开的隧道场效应晶体管包括：源电极; 与源电极分离的漏电极; 源电极和漏电极之间的沟道层; 以及设置成与沟道层的一部分重叠的栅电极。
摘要（英）：
The tunnel field effect transistor is disclosed.
The disclosed tunneling field effect transistor includes a gate electrode disposed to be superimposed on a portion of a drain electrode, a channel layer between the source electrode and the drain electrode and the channel layer is separated from the source electrode, the source electrode.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |