基本信息:
- 专利标题： SiC 단결정 잉곳 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：SiC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
- 专利标题（中）：SIC单晶及其生产方法
- 申请号：KR1020157001234 申请日：2013-05-08
- 公开(公告)号：KR1020150023031A 公开(公告)日：2015-03-04
- 发明人： 가도모토히사 , 다이코쿠히로노리 , 사카모토히데미츠 , 구스노키가즈히코 , 오카다노부히로
- 申请人： 도요타 지도샤(주) , 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
- 申请人地址： 일본국 아이치켄 도요타시 도요타쵸 *반지
- 专利权人： 도요타 지도샤(주),신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
- 当前专利权人： 도요타 지도샤（주）,신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
- 当前专利权人地址： 일본국 아이치켄 도요타시 도요타쵸 *반지
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2012-160816 2012-07-19
- 国际申请： PCT/JP2013/062955 2013-05-08
- 国际公布： WO2014013773 2014-01-23
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B17/00
摘要：
인클루전의 발생을 억제한 고품질의 SiC 단결정 잉곳, 및 그와 같은 SiC 단결정 잉곳의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 종결정 기판 및 상기 종결정 기판을 기점으로 하여 용액법에 의해서 성장시킨 SiC 성장 결정을 포함하는 SiC 단결정 잉곳으로서, 상기 성장 결정이 오목 형상의 결정 성장면을 갖고 또한 인클루전을 포함하지 않은 SiC 단결정 잉곳에 관한 것이다.
摘要（中）：
提供：一种抑制夹杂物产生的高品质SiC单晶锭; 以及所述SiC单晶锭的制造方法。 本发明涉及包括晶种基板和使用溶液法生长的SiC生长晶体并使用晶种基板作为其起源的SiC单晶锭，所述生长晶体具有凹陷的晶体生长表面并且不包括夹杂物。
摘要（英）：
Inclusion of high quality SiC single crystal ingot with reduced occurrence of, and provides a process for the production of SiC single crystal ingot such. The present invention has a seed crystal substrate, and a SiC single crystal ingot that as the starting point of the seed crystal substrate including in which SiC growth crystal grown by the solution method, the growing crystal is the determination of the concave growth surfaces also include inclusions SiC relates to a single crystal ingot is not.
公开/授权文献:
- KR101708131B1 SiC 단결정 잉곳 및 그 제조 방법 公开/授权日：2017-02-17