基本信息:
- 专利标题： ＭＯＳ 디바이스들에서의 게르마늄 퍼센티지의 조절
- 专利标题（英）：Modulating germanium percentage in mos devices
- 专利标题（中）：调制MOS器件中的德国百分比
- 申请号：KR1020140092688 申请日：2014-07-22
- 公开(公告)号：KR1020150018381A 公开(公告)日：2015-02-23
- 发明人： 곽쯔메이 , 리쿤무 , 송쉬에창 , 리치홍 , 리쯔리앙
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： US13/963,855 2013-08-09
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/94
摘要：
집적 회로 구조물은 반도체 기판 위의 게이트 스택, 및 반도체 기판 내로 연장하는 개구를 포함하며, 개구는 게이트 스택에 인접해 있다. 제1 실리콘 게르마늄 영역은 개구에 배치되고, 제1 실리콘 게르마늄 영역은 제1 게르마늄 퍼센티지를 갖는다. 제2 실리콘 게르마늄 영역은 제1 실리콘 게르마늄 영역 위에 있고, 제2 실리콘 게르마늄 영역은 제1 게르마늄 퍼센티지보다 높은 제2 게르마늄 퍼센티지를 갖는다. 금속 실리사이드 영역은 제2 실리콘 게르마늄 영역과 접촉하면서 이 제2 실리콘 게르마늄 영역 위에 있다.
摘要（中）：
IC结构包括半导体衬底上的栅叠层和延伸到半导体衬底的开口。 开口与栅极叠层相邻。 第一硅锗区域布置在开口中。 第一硅锗区域具有第一锗比例。 第二硅锗区位于第一硅锗区上。 第二硅锗区具有比第一锗百分比高的第二锗百分比。 金属硅化物区域接触第二硅锗区域并且位于第二硅锗区域上。
摘要（英）：
The integrated circuit structure comprises an opening that extends into the gate stack on the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate, the opening is adjacent to the gate stack. The first silicon germanium region is disposed in the opening, the first silicon germanium region has a first percentage of germanium. A second silicon-germanium region and the second region on the first silicon germanium, a second silicon germanium region has a second germanium percentage is higher than the first germanium percentage. Metal silicide region is above the second silicon-germanium region and in contact with the second silicon-germanium region.
公开/授权文献:
- KR101701561B1 ＭＯＳ 디바이스들에서의 게르마늄 퍼센티지의 조절 公开/授权日：2017-02-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |